H5CG48AGBDX018N vs K4RAH086VB-BIQK مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار H5CG48AGBDX018N توسط SK hynix و K4RAH086VB-BIQK توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

SK hynix
H5CG48AGBDX018N H5CG48AGBDX018N - DDR5 16Gb 5600Mbps DRAM | SK hynix

H5CG48AGBDX018N - DDR5 16Gb 5600Mbps DRAM | SK hynix

H5CG48AGBDX018N ✓ فعال
Samsung Electronics
K4RAH086VB-BIQK K4RAH086VB-BIQK - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | Samsung

K4RAH086VB-BIQK - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | Samsung

K4RAH086VB-BIQK ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر H5CG48AGBDX018N K4RAH086VB-BIQK
برند SK hynix Samsung Electronics
دسته‌بندی Memory ICs Memory ICs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
قیمت واحد (USD) $87.42 —
نوع حافظه DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 16 Gb (2G x 8) 16 Gb
سازمان 2G x 8 2G x 8
نرخ داده 5600 Mbps 4800 Mbps/pin
ولتاژ تغذیه 1.1 V —
Bus Width 8 bit —
بسته‌بندی 82-ball FCBGA (JEDEC DDR5 78/82-ball) 82FBGA
نوع نصب Surface Mount —
دمای کاری -40C to +85C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
رابط JEDEC DDR5 DDR5 (CA reduced pin count)
Memory Generation DDR5 (SK hynix A-die) —
Clock Frequency up to 5600 MHz (data rate 5600 Mbps) —
Application Class Computing, industrial controllers, embedded logging —
وضعیت RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Samsung 82FBGA)
سطح MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Core Supply Voltage — 1.1 V (nominal)
Configuration — X8
Speed Grade — BIQK (-BIQK bin)
ECC — On-die ECC (DDR5 standard)
Burst Length — 16 / 32
Operating Mode — DLL enabled
تأخیر CAS — [DATA_NEEDED: CAS latency (CL)]
Refresh — [DATA_NEEDED: refresh rate specification]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت