H5CG48AGBDX018N vs K4RAH086VB-BIQK So sánh

So sánh chi tiết song song của H5CG48AGBDX018N bằng SK hynix và K4RAH086VB-BIQK bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

SK hynix
H5CG48AGBDX018N H5CG48AGBDX018N - DDR5 16Gb 5600Mbps DRAM | SK hynix

H5CG48AGBDX018N - DDR5 16Gb 5600Mbps DRAM | SK hynix

H5CG48AGBDX018N ✓ Hoạt động
Samsung Electronics
K4RAH086VB-BIQK K4RAH086VB-BIQK - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | Samsung

K4RAH086VB-BIQK - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | Samsung

K4RAH086VB-BIQK ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số H5CG48AGBDX018N K4RAH086VB-BIQK
Thương hiệu SK hynix Samsung Electronics
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Giá đơn vị (USD) $87,42 —
Kiểu bộ nhớ DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 16 Gb (2G x 8) 16 Gb
Tổ chức 2G x 8 2G x 8
Tốc độ dữ liệu 5600 Mbps 4800 Mbps/pin
Điện áp cung cấp 1.1 V —
Bus Width 8 bit —
Hộp 82-ball FCBGA (JEDEC DDR5 78/82-ball) 82FBGA
Kiểu lắp đặt Surface Mount —
Nhiệt độ hoạt động -40C to +85C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Giao diện JEDEC DDR5 DDR5 (CA reduced pin count)
Memory Generation DDR5 (SK hynix A-die) —
Clock Frequency up to 5600 MHz (data rate 5600 Mbps) —
Application Class Computing, industrial controllers, embedded logging —
Trạng thái RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Samsung 82FBGA)
Cấp MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Core Supply Voltage — 1.1 V (nominal)
Configuration — X8
Speed Grade — BIQK (-BIQK bin)
ECC — On-die ECC (DDR5 standard)
Burst Length — 16 / 32
Operating Mode — DLL enabled
Latency CAS — [DATA_NEEDED: CAS latency (CL)]
Refresh — [DATA_NEEDED: refresh rate specification]

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá