IPB180P04P4L02ATMA2 vs IPD50P04P413ATMA2 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPB180P04P4L02ATMA2 بواسطة Infineon و IPD50P04P413ATMA2 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPB180P04P4L02ATMA2 IPD50P04P413ATMA2
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS-P2 —
نوع الترانزستور P-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V -40 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 180 A —
Power Dissipation (PD) at Tc 150 W —
On-State Resistance RDS(on) max 2.4 mOhm at VGS = -10 V (per Infineon product page) —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 C to +175 C (junction) -55 °C to +175 °C
العلبة PG-TO263-7-3 (D2PAK-6, 7-pin) PG-TO252-3-313 (DPAK)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
عدد الأطراف 7 (6 + tab) —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 qualified
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
حالة RoHS Compliant (per Infineon product page) Compliant
Tab Connection Drain —
Polarity / Device Type — P-Channel MOSFET
Technology — OptiMOS-P2 (Trench)
Continuous Drain Current (TC=25°C, ID) — 50 A
Continuous Drain Current (TC=100°C, ID) — [DATA_NEEDED: ID @ 100°C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed IDM]
Power Dissipation (TC=25°C, Ptot) — 58 W
On-State Resistance (RDS(on)) @ VGS=-10V — 9.2 mΩ (typ) / 12.6 mΩ (max)
On-State Resistance (RDS(on)) @ VGS=-4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=-4.5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Maximum Junction Temperature (TJ,max) — 175 °C
Standard Pack Quantity (13" reel) — 2500 pcs

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر