IPB180P04P4L02ATMA2 vs IPD50P04P413ATMA2 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPB180P04P4L02ATMA2 tarafından Infineon ve IPD50P04P413ATMA2 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPB180P04P4L02ATMA2 IPD50P04P413ATMA2
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS-P2 —
Transistor Türü P-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V -40 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 180 A —
Power Dissipation (PD) at Tc 150 W —
On-State Resistance RDS(on) max 2.4 mOhm at VGS = -10 V (per Infineon product page) —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +175 C (junction) -55 °C to +175 °C
Paket PG-TO263-7-3 (D2PAK-6, 7-pin) PG-TO252-3-313 (DPAK)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 7 (6 + tab) —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 qualified
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
RoHS Durumu Compliant (per Infineon product page) Compliant
Tab Connection Drain —
Polarity / Device Type — P-Channel MOSFET
Technology — OptiMOS-P2 (Trench)
Continuous Drain Current (TC=25°C, ID) — 50 A
Continuous Drain Current (TC=100°C, ID) — [DATA_NEEDED: ID @ 100°C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed IDM]
Power Dissipation (TC=25°C, Ptot) — 58 W
On-State Resistance (RDS(on)) @ VGS=-10V — 9.2 mΩ (typ) / 12.6 mΩ (max)
On-State Resistance (RDS(on)) @ VGS=-4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=-4.5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Maximum Junction Temperature (TJ,max) — 175 °C
Standard Pack Quantity (13" reel) — 2500 pcs

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin