IPB180P04P4L02ATMA2 vs IPD50P04P413ATMA2 So sánh
So sánh chi tiết song song của IPB180P04P4L02ATMA2 bằng Infineon và IPD50P04P413ATMA2 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IPB180P04P4L02ATMA2 - 40V P-Channel 180A OptiMOS-P2 MOSFET | Infineon
IPB180P04P4L02ATMA2 ✓ Hoạt độngInfineon
IPD50P04P413ATMA2 - P-Ch 40V 50A MOSFET | Infineon OptiMOS-P2
IPD50P04P413ATMA2 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IPB180P04P4L02ATMA2 | IPD50P04P413ATMA2 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS-P2 | — |
| Kiểu transitor | P-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | -40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 180 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 150 W | — |
| On-State Resistance RDS(on) max | 2.4 mOhm at VGS = -10 V (per Infineon product page) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55 C to +175 C (junction) | -55 °C to +175 °C |
| Hộp | PG-TO263-7-3 (D2PAK-6, 7-pin) | PG-TO252-3-313 (DPAK) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Số chân | 7 (6 + tab) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 qualified |
| Cấp MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 |
| Trạng thái RoHS | Compliant (per Infineon product page) | Compliant |
| Tab Connection | Drain | — |
| Polarity / Device Type | — | P-Channel MOSFET |
| Technology | — | OptiMOS-P2 (Trench) |
| Continuous Drain Current (TC=25°C, ID) | — | 50 A |
| Continuous Drain Current (TC=100°C, ID) | — | [DATA_NEEDED: ID @ 100°C] |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed IDM] |
| Power Dissipation (TC=25°C, Ptot) | — | 58 W |
| On-State Resistance (RDS(on)) @ VGS=-10V | — | 9.2 mΩ (typ) / 12.6 mΩ (max) |
| On-State Resistance (RDS(on)) @ VGS=-4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=-4.5V] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th)] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Maximum Junction Temperature (TJ,max) | — | 175 °C |
| Standard Pack Quantity (13" reel) | — | 2500 pcs |