IPB180P04P4L02ATMA2 vs IPD50P04P413ATMA2 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IPB180P04P4L02ATMA2 מאת Infineon ו IPD50P04P413ATMA2 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
IPD50P04P413ATMA2 IPD50P04P413ATMA2 - P-Ch 40V 50A MOSFET | Infineon OptiMOS-P2

IPD50P04P413ATMA2 - P-Ch 40V 50A MOSFET | Infineon OptiMOS-P2

IPD50P04P413ATMA2 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IPB180P04P4L02ATMA2 IPD50P04P413ATMA2
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS-P2 —
סוג טרנזיסטור P-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V -40 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 180 A —
Power Dissipation (PD) at Tc 150 W —
On-State Resistance RDS(on) max 2.4 mOhm at VGS = -10 V (per Infineon product page) —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] —
טווח טמפרטורת פעולה -55 C to +175 C (junction) -55 °C to +175 °C
מארז PG-TO263-7-3 (D2PAK-6, 7-pin) PG-TO252-3-313 (DPAK)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
מספר פינים 7 (6 + tab) —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 qualified
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
סטטוס RoHS Compliant (per Infineon product page) Compliant
Tab Connection Drain —
Polarity / Device Type — P-Channel MOSFET
Technology — OptiMOS-P2 (Trench)
Continuous Drain Current (TC=25°C, ID) — 50 A
Continuous Drain Current (TC=100°C, ID) — [DATA_NEEDED: ID @ 100°C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed IDM]
Power Dissipation (TC=25°C, Ptot) — 58 W
On-State Resistance (RDS(on)) @ VGS=-10V — 9.2 mΩ (typ) / 12.6 mΩ (max)
On-State Resistance (RDS(on)) @ VGS=-4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=-4.5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Maximum Junction Temperature (TJ,max) — 175 °C
Standard Pack Quantity (13" reel) — 2500 pcs

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר