IPD65R225C7ATMA1 vs IPL65R230C7AUMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPD65R225C7ATMA1 بواسطة Infineon و IPL65R230C7AUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IPD65R225C7ATMA1 | IPL65R230C7AUMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS C7 | CoolMOS C7 |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Technology | Super-junction (SJ) / CoolMOS | Superjunction (CoolMOS C7) |
| Drain-Source Voltage (VDSS) | 650 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 11 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 63 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 225 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V (max) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55°C to +150°C | — |
| العلبة | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-VSON-4 (surface mount, 4 pins) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| عدد الدبابيس | 3 (2 + tab) | — |
| مستوى MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Avalanche Energy Rated | Yes (per datasheet) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 650 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 10 A |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 67 W |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max | — | 230 mOhm |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical at VGS=10V] |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | — | -55 C to +150 C |
| ESD Protection | — | Yes (integrated, per datasheet) |
| خالٍ من الهالوجين | — | Yes (per Infineon product page) |