IPD65R225C7ATMA1 vs IPL65R230C7AUMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD65R225C7ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPL65R230C7AUMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPL65R230C7AUMA1 IPL65R230C7AUMA1 - 650V CoolMOS C7 MOSFET 230mOhm | Infineon

IPL65R230C7AUMA1 - 650V CoolMOS C7 MOSFET 230mOhm | Infineon

IPL65R230C7AUMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPD65R225C7ATMA1 IPL65R230C7AUMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS C7 CoolMOS C7
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology Super-junction (SJ) / CoolMOS Superjunction (CoolMOS C7)
Drain-Source Voltage (VDSS) 650 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 11 A —
Power Dissipation (PD) at TC 63 W —
On-Resistance RDS(on) max 225 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55°C to +150°C —
پیکیج PG-TO252-3 (DPAK) PG-VSON-4 (surface mount, 4 pins)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پنز کی تعداد 3 (2 + tab) —
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Avalanche Energy Rated Yes (per datasheet) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 650 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 10 A
Power Dissipation (PD) at Tc — 67 W
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 230 mOhm
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical at VGS=10V]
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55 C to +150 C
ESD Protection — Yes (integrated, per datasheet)
ہیلوجن فری — Yes (per Infineon product page)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں