IPD65R225C7ATMA1 vs IPL65R230C7AUMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPD65R225C7ATMA1 द्वारा Infineon और IPL65R230C7AUMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPD65R225C7ATMA1 | IPL65R230C7AUMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS C7 | CoolMOS C7 |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Technology | Super-junction (SJ) / CoolMOS | Superjunction (CoolMOS C7) |
| Drain-Source Voltage (VDSS) | 650 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 11 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 63 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 225 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V (max) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55°C to +150°C | — |
| पैकेज | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-VSON-4 (surface mount, 4 pins) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| पिन की संख्या | 3 (2 + tab) | — |
| MSL स्तर | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Avalanche Energy Rated | Yes (per datasheet) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 650 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 10 A |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 67 W |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max | — | 230 mOhm |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical at VGS=10V] |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55 C to +150 C |
| ESD Protection | — | Yes (integrated, per datasheet) |
| हैलोजन फ्री | — | Yes (per Infineon product page) |