IPD65R225C7ATMA1 vs IPL65R230C7AUMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPD65R225C7ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IPL65R230C7AUMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IPD65R225C7ATMA1 IPD65R225C7ATMA1 - 650V 225mΩ 11A CoolMOS C7 N-FET | Infineon

IPD65R225C7ATMA1 - 650V 225mΩ 11A CoolMOS C7 N-FET | Infineon

IPD65R225C7ATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
IPL65R230C7AUMA1 IPL65R230C7AUMA1 - 650V CoolMOS C7 MOSFET 230mOhm | Infineon

IPL65R230C7AUMA1 - 650V CoolMOS C7 MOSFET 230mOhm | Infineon

IPL65R230C7AUMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IPD65R225C7ATMA1 IPL65R230C7AUMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS C7 CoolMOS C7
ট্রানজিস্টর টাইপ N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology Super-junction (SJ) / CoolMOS Superjunction (CoolMOS C7)
Drain-Source Voltage (VDSS) 650 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 11 A —
Power Dissipation (PD) at TC 63 W —
On-Resistance RDS(on) max 225 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55°C to +150°C —
প্যাকেজ PG-TO252-3 (DPAK) PG-VSON-4 (surface mount, 4 pins)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
পিনের সংখ্যা 3 (2 + tab) —
MSL লেভেল 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
Avalanche Energy Rated Yes (per datasheet) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 650 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 10 A
Power Dissipation (PD) at Tc — 67 W
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 230 mOhm
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical at VGS=10V]
অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা — -55 C to +150 C
ESD Protection — Yes (integrated, per datasheet)
হ্যালোজেন মুক্ত — Yes (per Infineon product page)

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট