IPG16N10S4L61AATMA1 vs IPG16N10S461AATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPG16N10S4L61AATMA1 بواسطة Infineon و IPG16N10S461AATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Infineon
IPG16N10S4L61AATMA1 - Dual 100V 16A Logic-Level MOSFET | Infineon
IPG16N10S4L61AATMA1 ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | IPG16N10S4L61AATMA1 | IPG16N10S461AATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | Dual N-Channel (Array) | — |
| Technology | Logic-Level, Enhancement Mode | OptiMOS™ trench |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at 25C | 16 A | — |
| Power Dissipation (PD) | 29 W | — |
| العلبة / الحالة | PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | -55C to +175C (TJ) | — |
| مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | MSL1 (unlimited floor life at <30C / 85% RH) | — |
| Peak Reflow Temperature | 260 C | — |
| AEC-Q101 Qualification | Qualified (automotive grade) | — |
| RoHS Compliance | Compliant (Green Product) | — |
| Avalanche Tested | 100% (per datasheet) | — |
| AOI Compatible | Yes (Wettable Flank) | — |
| FET Feature | Logic Level Gate | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Type | — | Dual N-Channel MOSFET Array |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 16 A |
| On-Resistance R_DS(on) typ. | — | 61 mΩ |
| Total Power Dissipation (Ptot) | — | 29 W (T_C = 25°C) |
| Configuration | — | 2 N-Channel (Dual, separate) |
| Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ. | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Maximum Junction Temperature | — | 175 °C |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55 °C to +175 °C |
| العلبة | — | PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) |
| Terminal Count | — | 8 |
| مستوى MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| حالة RoHS | — | Compliant |
| Built-in Body Diode | — | Yes |
| Channel Mode | — | Enhancement |