IPG16N10S4L61AATMA1 vs IPG16N10S461AATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPG16N10S4L61AATMA1 tarafından Infineon ve IPG16N10S461AATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPG16N10S4L61AATMA1 IPG16N10S461AATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type Dual N-Channel (Array) —
Technology Logic-Level, Enhancement Mode OptiMOS™ trench
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at 25C 16 A —
Power Dissipation (PD) 29 W —
Paket / Kas PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı -55C to +175C (TJ) —
Nem Hassasiyet Seviyesi (MSL) MSL1 (unlimited floor life at <30C / 85% RH) —
Peak Reflow Temperature 260 C —
AEC-Q101 Qualification Qualified (automotive grade) —
RoHS Compliance Compliant (Green Product) —
Avalanche Tested 100% (per datasheet) —
AOI Compatible Yes (Wettable Flank) —
FET Feature Logic Level Gate —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Type — Dual N-Channel MOSFET Array
Continuous Drain Current (ID) — 16 A
On-Resistance R_DS(on) typ. — 61 mΩ
Total Power Dissipation (Ptot) — 29 W (T_C = 25°C)
Configuration — 2 N-Channel (Dual, separate)
Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ. — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Maximum Junction Temperature — 175 °C
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 °C to +175 °C
Paket — PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank)
Terminal Count — 8
MSL Seviyesi — [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS Durumu — Compliant
Built-in Body Diode — Yes
Channel Mode — Enhancement

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin