IPG16N10S4L61AATMA1 vs IPG16N10S461AATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IPG16N10S4L61AATMA1 מאת Infineon ו IPG16N10S461AATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
IPG16N10S4L61AATMA1 - Dual 100V 16A Logic-Level MOSFET | Infineon
IPG16N10S4L61AATMA1 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | IPG16N10S4L61AATMA1 | IPG16N10S461AATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| FET Type | Dual N-Channel (Array) | — |
| Technology | Logic-Level, Enhancement Mode | OptiMOS™ trench |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at 25C | 16 A | — |
| Power Dissipation (PD) | 29 W | — |
| מארז / Case | PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טמפרטורת פעולה | -55C to +175C (TJ) | — |
| רמת רגישות ללחות (MSL) | MSL1 (unlimited floor life at <30C / 85% RH) | — |
| Peak Reflow Temperature | 260 C | — |
| AEC-Q101 Qualification | Qualified (automotive grade) | — |
| RoHS Compliance | Compliant (Green Product) | — |
| Avalanche Tested | 100% (per datasheet) | — |
| AOI Compatible | Yes (Wettable Flank) | — |
| FET Feature | Logic Level Gate | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Type | — | Dual N-Channel MOSFET Array |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 16 A |
| On-Resistance R_DS(on) typ. | — | 61 mΩ |
| Total Power Dissipation (Ptot) | — | 29 W (T_C = 25°C) |
| Configuration | — | 2 N-Channel (Dual, separate) |
| Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ. | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Maximum Junction Temperature | — | 175 °C |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | -55 °C to +175 °C |
| מארז | — | PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) |
| Terminal Count | — | 8 |
| רמת MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| סטטוס RoHS | — | Compliant |
| Built-in Body Diode | — | Yes |
| Channel Mode | — | Enhancement |