IPG16N10S4L61AATMA1 vs IPG16N10S461AATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPG16N10S4L61AATMA1 بذریعہ Infineon اور IPG16N10S461AATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IPG16N10S4L61AATMA1 - Dual 100V 16A Logic-Level MOSFET | Infineon
IPG16N10S4L61AATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPG16N10S4L61AATMA1 | IPG16N10S461AATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| FET Type | Dual N-Channel (Array) | — |
| Technology | Logic-Level, Enhancement Mode | OptiMOS™ trench |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at 25C | 16 A | — |
| Power Dissipation (PD) | 29 W | — |
| پیکیج / کیس | PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | -55C to +175C (TJ) | — |
| نمی حساسیت کی سطح (MSL) | MSL1 (unlimited floor life at <30C / 85% RH) | — |
| Peak Reflow Temperature | 260 C | — |
| AEC-Q101 Qualification | Qualified (automotive grade) | — |
| RoHS Compliance | Compliant (Green Product) | — |
| Avalanche Tested | 100% (per datasheet) | — |
| AOI Compatible | Yes (Wettable Flank) | — |
| FET Feature | Logic Level Gate | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Type | — | Dual N-Channel MOSFET Array |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 16 A |
| On-Resistance R_DS(on) typ. | — | 61 mΩ |
| Total Power Dissipation (Ptot) | — | 29 W (T_C = 25°C) |
| Configuration | — | 2 N-Channel (Dual, separate) |
| Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ. | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Maximum Junction Temperature | — | 175 °C |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -55 °C to +175 °C |
| پیکیج | — | PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) |
| Terminal Count | — | 8 |
| MSL لیول | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| RoHS اسٹیٹس | — | Compliant |
| Built-in Body Diode | — | Yes |
| Channel Mode | — | Enhancement |