IPP320N20N3GXKSA1 vs IPP100N12S305AKSA2 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPP320N20N3GXKSA1 بواسطة Infineon و IPP100N12S305AKSA2 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPP320N20N3GXKSA1 IPP100N12S305AKSA2
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 3 OptiMOS 5
Technology N-Channel Trench MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V 120 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 34 A —
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V 32 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 4 V [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Total Power Dissipation PD at TC=25°C 136 W —
العلبة TO-220-3 (PG-TO220-3) through-hole PG-TO220-3-1 (Through Hole)
نوع التركيب Through Hole Through Hole
عدد الدبابيس 3 (3 + Tab) —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55°C to +175°C -55C to +175C (TJ)
Channel Type N-Channel —
Element Configuration Single —
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
مستوى MSL Not applicable (through-hole) N/A (Through Hole)
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) — 100 A
Continuous Drain Current (ID, TC=100C) — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum Power Dissipation (PD, TC=25C) — 300 W
On-State Resistance R_DS(on) max @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: R_DS(on) max]
Gate Charge Qg typ @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg value]
Reverse Recovery Charge Qrr — [DATA_NEEDED: Qrr value]
عدد الأطراف — 3 (Gate, Drain, Source)
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر