IPP320N20N3GXKSA1 vs IPP100N12S305AKSA2 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IPP320N20N3GXKSA1 מאת Infineon ו IPP100N12S305AKSA2 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IPP320N20N3GXKSA1 IPP100N12S305AKSA2
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 3 OptiMOS 5
Technology N-Channel Trench MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V 120 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 34 A —
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V 32 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 4 V [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Total Power Dissipation PD at TC=25°C 136 W —
מארז TO-220-3 (PG-TO220-3) through-hole PG-TO220-3-1 (Through Hole)
סוג הרכבה Through Hole Through Hole
מספר פינים 3 (3 + Tab) —
טווח טמפרטורת פעולה -55°C to +175°C -55C to +175C (TJ)
Channel Type N-Channel —
Element Configuration Single —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
רמת MSL Not applicable (through-hole) N/A (Through Hole)
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) — 100 A
Continuous Drain Current (ID, TC=100C) — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum Power Dissipation (PD, TC=25C) — 300 W
On-State Resistance R_DS(on) max @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: R_DS(on) max]
Gate Charge Qg typ @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg value]
Reverse Recovery Charge Qrr — [DATA_NEEDED: Qrr value]
מספר פינים — 3 (Gate, Drain, Source)
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר