IPP320N20N3GXKSA1 vs IPP100N12S305AKSA2 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IPP320N20N3GXKSA1 توسط Infineon و IPP100N12S305AKSA2 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IPP320N20N3GXKSA1 IPP100N12S305AKSA2
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 3 OptiMOS 5
Technology N-Channel Trench MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V 120 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 34 A —
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V 32 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 4 V [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Total Power Dissipation PD at TC=25°C 136 W —
بسته‌بندی TO-220-3 (PG-TO220-3) through-hole PG-TO220-3-1 (Through Hole)
نوع نصب Through Hole Through Hole
تعداد پین‌ها 3 (3 + Tab) —
محدوده دمای کاری -55°C to +175°C -55C to +175C (TJ)
Channel Type N-Channel —
Element Configuration Single —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
سطح MSL Not applicable (through-hole) N/A (Through Hole)
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) — 100 A
Continuous Drain Current (ID, TC=100C) — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum Power Dissipation (PD, TC=25C) — 300 W
On-State Resistance R_DS(on) max @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: R_DS(on) max]
Gate Charge Qg typ @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg value]
Reverse Recovery Charge Qrr — [DATA_NEEDED: Qrr value]
تعداد پایه — 3 (Gate, Drain, Source)
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت