IPP320N20N3GXKSA1 vs IPP100N12S305AKSA2 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPP320N20N3GXKSA1 tarafından Infineon ve IPP100N12S305AKSA2 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPP320N20N3GXKSA1 IPP100N12S305AKSA2
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 3 OptiMOS 5
Technology N-Channel Trench MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V 120 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 34 A —
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V 32 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 4 V [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Total Power Dissipation PD at TC=25°C 136 W —
Paket TO-220-3 (PG-TO220-3) through-hole PG-TO220-3-1 (Through Hole)
Montaj Türü Through Hole Through Hole
Pin Sayısı 3 (3 + Tab) —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55°C to +175°C -55C to +175C (TJ)
Channel Type N-Channel —
Element Configuration Single —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
MSL Seviyesi Not applicable (through-hole) N/A (Through Hole)
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) — 100 A
Continuous Drain Current (ID, TC=100C) — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum Power Dissipation (PD, TC=25C) — 300 W
On-State Resistance R_DS(on) max @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: R_DS(on) max]
Gate Charge Qg typ @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg value]
Reverse Recovery Charge Qrr — [DATA_NEEDED: Qrr value]
Pin Sayısı — 3 (Gate, Drain, Source)
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin