IPP320N20N3GXKSA1 vs IPP100N12S305AKSA2 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPP320N20N3GXKSA1 بذریعہ Infineon اور IPP100N12S305AKSA2 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPP320N20N3GXKSA1 IPP100N12S305AKSA2
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 3 OptiMOS 5
Technology N-Channel Trench MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V 120 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 34 A —
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V 32 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 4 V [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Total Power Dissipation PD at TC=25°C 136 W —
پیکیج TO-220-3 (PG-TO220-3) through-hole PG-TO220-3-1 (Through Hole)
ماؤنٹنگ ٹائپ Through Hole Through Hole
پنز کی تعداد 3 (3 + Tab) —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55°C to +175°C -55C to +175C (TJ)
Channel Type N-Channel —
Element Configuration Single —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
MSL لیول Not applicable (through-hole) N/A (Through Hole)
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) — 100 A
Continuous Drain Current (ID, TC=100C) — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum Power Dissipation (PD, TC=25C) — 300 W
On-State Resistance R_DS(on) max @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: R_DS(on) max]
Gate Charge Qg typ @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg value]
Reverse Recovery Charge Qrr — [DATA_NEEDED: Qrr value]
پن کی تعداد — 3 (Gate, Drain, Source)
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں