IR21531STRPBF vs IRS2153DSTRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IR21531STRPBF بواسطة Infineon و IRS2153DSTRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IR21531STRPBF IRS2153DSTRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Configuration Half-Bridge —
Driver Type High-side and Low-side, self-oscillating —
عدد المخارج 2 (high-side, low-side) —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Internal VCC Clamp 15.6 V —
High-Side Offset Voltage up to 600 V —
Peak Source/Sink Current 250 mA —
زمن الصعود 80 ns —
زمن السقوط 45 ns —
Dead-Time 0.6 microseconds (typical) —
Oscillator External RC programmable —
Bootstrap Diode Integrated —
Input Logic CMOS Schmitt-trigger (RC timing) —
درجة حرارة التشغيل -40C to +125C —
العلبة 8-pin SOIC (SO-8) 8-pin SOIC
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Lead Finish Pb-free (PBF suffix) —
حالة RoHS Compliant (ROHS3) Compliant
البنية الطوبولوجية — Half-Bridge Gate Driver with internal oscillator
High-Side Floating Supply Absolute Max — 600 V
VDD Supply Voltage Range — 10 V to 20 V
Output Source Current (typ.) — 0.18 A
Output Sink Current (typ.) — 0.26 A
Internal Propagation Delay (typ.) — 1.1 us
Integrated Bootstrap FET — Yes
Oscillator Type — RC-based, similar to CMOS 555 timer
Programmable Shutdown Pin — Yes
نطاق درجة حرارة التشغيل — -40C to +125C
Technology — HVIC + latch-immune CMOS
Lead-Free — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر