IR21531STRPBF vs IRS2153DSTRPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IR21531STRPBF מאת Infineon ו IRS2153DSTRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IR21531STRPBF IRS2153DSTRPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Configuration Half-Bridge —
Driver Type High-side and Low-side, self-oscillating —
מספר יציאות 2 (high-side, low-side) —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Internal VCC Clamp 15.6 V —
High-Side Offset Voltage up to 600 V —
Peak Source/Sink Current 250 mA —
זמן עלייה 80 ns —
זמן ירידה 45 ns —
Dead-Time 0.6 microseconds (typical) —
Oscillator External RC programmable —
Bootstrap Diode Integrated —
Input Logic CMOS Schmitt-trigger (RC timing) —
טמפרטורת פעולה -40C to +125C —
מארז 8-pin SOIC (SO-8) 8-pin SOIC
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Lead Finish Pb-free (PBF suffix) —
סטטוס RoHS Compliant (ROHS3) Compliant
טופולוגיה — Half-Bridge Gate Driver with internal oscillator
High-Side Floating Supply Absolute Max — 600 V
VDD Supply Voltage Range — 10 V to 20 V
Output Source Current (typ.) — 0.18 A
Output Sink Current (typ.) — 0.26 A
Internal Propagation Delay (typ.) — 1.1 us
Integrated Bootstrap FET — Yes
Oscillator Type — RC-based, similar to CMOS 555 timer
Programmable Shutdown Pin — Yes
טווח טמפרטורת פעולה — -40C to +125C
Technology — HVIC + latch-immune CMOS
Lead-Free — Yes

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר