IR21531STRPBF vs IRS2153DSTRPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IR21531STRPBF توسط Infineon و IRS2153DSTRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IR21531STRPBF IRS2153DSTRPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Configuration Half-Bridge —
Driver Type High-side and Low-side, self-oscillating —
تعداد خروجی‌ها 2 (high-side, low-side) —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Internal VCC Clamp 15.6 V —
High-Side Offset Voltage up to 600 V —
Peak Source/Sink Current 250 mA —
زمان صعود 80 ns —
زمان افت 45 ns —
Dead-Time 0.6 microseconds (typical) —
Oscillator External RC programmable —
Bootstrap Diode Integrated —
Input Logic CMOS Schmitt-trigger (RC timing) —
دمای کاری -40C to +125C —
بسته‌بندی 8-pin SOIC (SO-8) 8-pin SOIC
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Lead Finish Pb-free (PBF suffix) —
وضعیت RoHS Compliant (ROHS3) Compliant
توپولوژی — Half-Bridge Gate Driver with internal oscillator
High-Side Floating Supply Absolute Max — 600 V
VDD Supply Voltage Range — 10 V to 20 V
Output Source Current (typ.) — 0.18 A
Output Sink Current (typ.) — 0.26 A
Internal Propagation Delay (typ.) — 1.1 us
Integrated Bootstrap FET — Yes
Oscillator Type — RC-based, similar to CMOS 555 timer
Programmable Shutdown Pin — Yes
محدوده دمای کاری — -40C to +125C
Technology — HVIC + latch-immune CMOS
Lead-Free — Yes

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت