IR21531STRPBF vs IRS2153DSTRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IR21531STRPBF tarafından Infineon ve IRS2153DSTRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IR21531STRPBF IRS2153DSTRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Configuration Half-Bridge —
Driver Type High-side and Low-side, self-oscillating —
Çıkış Sayısı 2 (high-side, low-side) —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Internal VCC Clamp 15.6 V —
High-Side Offset Voltage up to 600 V —
Peak Source/Sink Current 250 mA —
Artış Süresi 80 ns —
Düşüş Süresi 45 ns —
Dead-Time 0.6 microseconds (typical) —
Oscillator External RC programmable —
Bootstrap Diode Integrated —
Input Logic CMOS Schmitt-trigger (RC timing) —
İşletim Sıcaklığı -40C to +125C —
Paket 8-pin SOIC (SO-8) 8-pin SOIC
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Lead Finish Pb-free (PBF suffix) —
RoHS Durumu Compliant (ROHS3) Compliant
Ağ Yapısı — Half-Bridge Gate Driver with internal oscillator
High-Side Floating Supply Absolute Max — 600 V
VDD Supply Voltage Range — 10 V to 20 V
Output Source Current (typ.) — 0.18 A
Output Sink Current (typ.) — 0.26 A
Internal Propagation Delay (typ.) — 1.1 us
Integrated Bootstrap FET — Yes
Oscillator Type — RC-based, similar to CMOS 555 timer
Programmable Shutdown Pin — Yes
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -40C to +125C
Technology — HVIC + latch-immune CMOS
Lead-Free — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin