IR21531STRPBF vs IRS2153DSTRPBF So sánh

So sánh chi tiết song song của IR21531STRPBF bằng Infineon và IRS2153DSTRPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IR21531STRPBF IRS2153DSTRPBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Configuration Half-Bridge —
Driver Type High-side and Low-side, self-oscillating —
Số lượng đầu ra 2 (high-side, low-side) —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Internal VCC Clamp 15.6 V —
High-Side Offset Voltage up to 600 V —
Peak Source/Sink Current 250 mA —
Thời gian tăng lên 80 ns —
Thời gian giảm dần 45 ns —
Dead-Time 0.6 microseconds (typical) —
Oscillator External RC programmable —
Bootstrap Diode Integrated —
Input Logic CMOS Schmitt-trigger (RC timing) —
Nhiệt độ hoạt động -40C to +125C —
Hộp 8-pin SOIC (SO-8) 8-pin SOIC
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Lead Finish Pb-free (PBF suffix) —
Trạng thái RoHS Compliant (ROHS3) Compliant
Cấu trúc — Half-Bridge Gate Driver with internal oscillator
High-Side Floating Supply Absolute Max — 600 V
VDD Supply Voltage Range — 10 V to 20 V
Output Source Current (typ.) — 0.18 A
Output Sink Current (typ.) — 0.26 A
Internal Propagation Delay (typ.) — 1.1 us
Integrated Bootstrap FET — Yes
Oscillator Type — RC-based, similar to CMOS 555 timer
Programmable Shutdown Pin — Yes
Khoảng nhiệt độ hoạt động — -40C to +125C
Technology — HVIC + latch-immune CMOS
Lead-Free — Yes

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá