IRFR220NPBF vs IRFR4620TRLPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFR220NPBF بواسطة Infineon و IRFR4620TRLPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRFR220NPBF IRFR4620TRLPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 5 A —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 43 W —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 0.6 ohm at VGS = 10 V —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
العلبة / الحالة TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK)
Technology HEXFET (Planar) IR MOSFET
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +150C (junction) —
Lead-Free / RoHS Yes, lead-free (PBF suffix) —
Avalanche Energy Rated Yes (per datasheet characterization) —
عدد الأطراف 3 (Gate, Drain, Source) plus tab —
مستوى MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (Unlimited)
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRFR4620TRLPBF
نوع الترانزستور — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID) — 24 A at Tc
On-Resistance (RDS(on)) — 78 mOhm max at VGS=10V
Gate Charge (Qg) — 25 nC typical
Power Dissipation (PD) — 144 W at Tc
درجة حرارة التشغيل — -55C to +175C
Lead Free — Yes
حالة RoHS — Compliant

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر