IRFR220NPBF vs IRFR4620TRLPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRFR220NPBF מאת Infineon ו IRFR4620TRLPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRFR220NPBF IRFR4620TRLPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 5 A —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 43 W —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 0.6 ohm at VGS = 10 V —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
מארז / Case TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK)
Technology HEXFET (Planar) IR MOSFET
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
טווח טמפרטורת פעולה -55C to +150C (junction) —
Lead-Free / RoHS Yes, lead-free (PBF suffix) —
Avalanche Energy Rated Yes (per datasheet characterization) —
מספר פינים 3 (Gate, Drain, Source) plus tab —
רמת MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (Unlimited)
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRFR4620TRLPBF
סוג טרנזיסטור — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID) — 24 A at Tc
On-Resistance (RDS(on)) — 78 mOhm max at VGS=10V
Gate Charge (Qg) — 25 nC typical
Power Dissipation (PD) — 144 W at Tc
טמפרטורת פעולה — -55C to +175C
Lead Free — Yes
סטטוס RoHS — Compliant

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר