IRFR220NPBF vs IRFR4620TRLPBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFR220NPBF द्वारा Infineon और IRFR4620TRLPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IRFR220NPBF IRFR220NPBF - 200V N-Channel HEXFET MOSFET, 5A | Infineon

IRFR220NPBF - 200V N-Channel HEXFET MOSFET, 5A | Infineon

IRFR220NPBF ✓ सक्रिय
Infineon
IRFR4620TRLPBF IRFR4620TRLPBF - 200V 24A N-Ch MOSFET, 78mOhm, DPAK | Infineon

IRFR4620TRLPBF - 200V 24A N-Ch MOSFET, 78mOhm, DPAK | Infineon

IRFR4620TRLPBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IRFR220NPBF IRFR4620TRLPBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 5 A —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 43 W —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 0.6 ohm at VGS = 10 V —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
पैकेज / केस TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK)
Technology HEXFET (Planar) IR MOSFET
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55C to +150C (junction) —
Lead-Free / RoHS Yes, lead-free (PBF suffix) —
Avalanche Energy Rated Yes (per datasheet characterization) —
पिन काउंट 3 (Gate, Drain, Source) plus tab —
MSL स्तर 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (Unlimited)
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRFR4620TRLPBF
ट्रांज़िस्टर प्रकार — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID) — 24 A at Tc
On-Resistance (RDS(on)) — 78 mOhm max at VGS=10V
Gate Charge (Qg) — 25 nC typical
Power Dissipation (PD) — 144 W at Tc
ऑपरेटिंग तापमान — -55C to +175C
Lead Free — Yes
RoHS स्थिति — Compliant

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