IRFR220NPBF vs IRFR4620TRLPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFR220NPBF tarafından Infineon ve IRFR4620TRLPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFR220NPBF IRFR4620TRLPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 5 A —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 43 W —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 0.6 ohm at VGS = 10 V —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Paket / Kas TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK)
Technology HEXFET (Planar) IR MOSFET
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C (junction) —
Lead-Free / RoHS Yes, lead-free (PBF suffix) —
Avalanche Energy Rated Yes (per datasheet characterization) —
Pin Sayısı 3 (Gate, Drain, Source) plus tab —
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (Unlimited)
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRFR4620TRLPBF
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID) — 24 A at Tc
On-Resistance (RDS(on)) — 78 mOhm max at VGS=10V
Gate Charge (Qg) — 25 nC typical
Power Dissipation (PD) — 144 W at Tc
İşletim Sıcaklığı — -55C to +175C
Lead Free — Yes
RoHS Durumu — Compliant

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin