IRFS3006TRLPBF vs IRFS3107TRLPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFS3006TRLPBF بواسطة Infineon و IRFS3107TRLPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRFS3006TRLPBF | IRFS3107TRLPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | N-Channel | N-Channel, Enhancement Mode |
| Technology | IR HEXFET (Planar DMOS) | IR MOSFET (HEXFET) |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | 195 A | — |
| Pulsed Drain Current (Idm) | 270 A | — |
| On-Resistance Rds(on) max at Vgs=10V | 2.5 mOhm | — |
| Gate-Source Threshold Vgs(th) | 2.0 V to 4.0 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 200 nC | 160 nC |
| Gate-Drain Charge (Qgd) | [DATA_NEEDED: Qgd value] | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | 375 W | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55 C to +175 C | — |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) | [DATA_NEEDED: RthJC value] | — |
| العلبة | D2PAK (TO-263AB), surface mount | D2PAK (TO-263AB), 3-pin |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount (Gull Wing) |
| RoHS Compliance | Lead-Free (Pb-Free), RoHS Compliant | — |
| مستوى MSL | 1 | — |
| Avalanche Energy Rating | Avalanche rated (per Infineon datasheet) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 75 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 195 A at Tc |
| Continuous Drain Current (ID max) | — | 230 A |
| Power Dissipation (PD) | — | 370 W at Tc |
| RDS(on) Max | — | 3 mOhm |
| Avalanche Energy (EAS) | — | 300 mJ |
| Drive Voltage (Max RDS(on)) | — | 10 V |
| Configuration | — | Single with built-in body diode |
| درجة حرارة التشغيل | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| حالة RoHS | — | Compliant (PBF / lead-free) |