IRFS3006TRLPBF vs IRFS3107TRLPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFS3006TRLPBF بذریعہ Infineon اور IRFS3107TRLPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFS3006TRLPBF IRFS3107TRLPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel N-Channel, Enhancement Mode
Technology IR HEXFET (Planar DMOS) IR MOSFET (HEXFET)
Drain-Source Voltage (Vds) 60 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 195 A —
Pulsed Drain Current (Idm) 270 A —
On-Resistance Rds(on) max at Vgs=10V 2.5 mOhm —
Gate-Source Threshold Vgs(th) 2.0 V to 4.0 V —
Total Gate Charge (Qg) 200 nC 160 nC
Gate-Drain Charge (Qgd) [DATA_NEEDED: Qgd value] —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 375 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 C to +175 C —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) [DATA_NEEDED: RthJC value] —
پیکیج D2PAK (TO-263AB), surface mount D2PAK (TO-263AB), 3-pin
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount (Gull Wing)
RoHS Compliance Lead-Free (Pb-Free), RoHS Compliant —
MSL لیول 1 —
Avalanche Energy Rating Avalanche rated (per Infineon datasheet) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 75 V
Continuous Drain Current (ID) — 195 A at Tc
Continuous Drain Current (ID max) — 230 A
Power Dissipation (PD) — 370 W at Tc
RDS(on) Max — 3 mOhm
Avalanche Energy (EAS) — 300 mJ
Drive Voltage (Max RDS(on)) — 10 V
Configuration — Single with built-in body diode
آپریٹنگ درجہ حرارت — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
RoHS اسٹیٹس — Compliant (PBF / lead-free)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں