IRFS3006TRLPBF vs IRFS3107TRLPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFS3006TRLPBF द्वारा Infineon और IRFS3107TRLPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRFS3006TRLPBF | IRFS3107TRLPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel | N-Channel, Enhancement Mode |
| Technology | IR HEXFET (Planar DMOS) | IR MOSFET (HEXFET) |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | 195 A | — |
| Pulsed Drain Current (Idm) | 270 A | — |
| On-Resistance Rds(on) max at Vgs=10V | 2.5 mOhm | — |
| Gate-Source Threshold Vgs(th) | 2.0 V to 4.0 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 200 nC | 160 nC |
| Gate-Drain Charge (Qgd) | [DATA_NEEDED: Qgd value] | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | 375 W | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55 C to +175 C | — |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) | [DATA_NEEDED: RthJC value] | — |
| पैकेज | D2PAK (TO-263AB), surface mount | D2PAK (TO-263AB), 3-pin |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount (Gull Wing) |
| RoHS Compliance | Lead-Free (Pb-Free), RoHS Compliant | — |
| MSL स्तर | 1 | — |
| Avalanche Energy Rating | Avalanche rated (per Infineon datasheet) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 75 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 195 A at Tc |
| Continuous Drain Current (ID max) | — | 230 A |
| Power Dissipation (PD) | — | 370 W at Tc |
| RDS(on) Max | — | 3 mOhm |
| Avalanche Energy (EAS) | — | 300 mJ |
| Drive Voltage (Max RDS(on)) | — | 10 V |
| Configuration | — | Single with built-in body diode |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| RoHS स्थिति | — | Compliant (PBF / lead-free) |