IRFS3006TRLPBF vs IRFS3107TRLPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRFS3006TRLPBF توسط Infineon و IRFS3107TRLPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRFS3006TRLPBF IRFS3107TRLPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type N-Channel N-Channel, Enhancement Mode
Technology IR HEXFET (Planar DMOS) IR MOSFET (HEXFET)
Drain-Source Voltage (Vds) 60 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 195 A —
Pulsed Drain Current (Idm) 270 A —
On-Resistance Rds(on) max at Vgs=10V 2.5 mOhm —
Gate-Source Threshold Vgs(th) 2.0 V to 4.0 V —
Total Gate Charge (Qg) 200 nC 160 nC
Gate-Drain Charge (Qgd) [DATA_NEEDED: Qgd value] —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 375 W —
دمای اتصال کاری -55 C to +175 C —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) [DATA_NEEDED: RthJC value] —
بسته‌بندی D2PAK (TO-263AB), surface mount D2PAK (TO-263AB), 3-pin
نوع نصب Surface Mount Surface Mount (Gull Wing)
RoHS Compliance Lead-Free (Pb-Free), RoHS Compliant —
سطح MSL 1 —
Avalanche Energy Rating Avalanche rated (per Infineon datasheet) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 75 V
Continuous Drain Current (ID) — 195 A at Tc
Continuous Drain Current (ID max) — 230 A
Power Dissipation (PD) — 370 W at Tc
RDS(on) Max — 3 mOhm
Avalanche Energy (EAS) — 300 mJ
Drive Voltage (Max RDS(on)) — 10 V
Configuration — Single with built-in body diode
دمای کاری — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
وضعیت RoHS — Compliant (PBF / lead-free)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت