IRFS3006TRLPBF vs IRFS3107TRLPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFS3006TRLPBF tarafından Infineon ve IRFS3107TRLPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFS3006TRLPBF IRFS3107TRLPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel N-Channel, Enhancement Mode
Technology IR HEXFET (Planar DMOS) IR MOSFET (HEXFET)
Drain-Source Voltage (Vds) 60 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 195 A —
Pulsed Drain Current (Idm) 270 A —
On-Resistance Rds(on) max at Vgs=10V 2.5 mOhm —
Gate-Source Threshold Vgs(th) 2.0 V to 4.0 V —
Total Gate Charge (Qg) 200 nC 160 nC
Gate-Drain Charge (Qgd) [DATA_NEEDED: Qgd value] —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 375 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 C to +175 C —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) [DATA_NEEDED: RthJC value] —
Paket D2PAK (TO-263AB), surface mount D2PAK (TO-263AB), 3-pin
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount (Gull Wing)
RoHS Compliance Lead-Free (Pb-Free), RoHS Compliant —
MSL Seviyesi 1 —
Avalanche Energy Rating Avalanche rated (per Infineon datasheet) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 75 V
Continuous Drain Current (ID) — 195 A at Tc
Continuous Drain Current (ID max) — 230 A
Power Dissipation (PD) — 370 W at Tc
RDS(on) Max — 3 mOhm
Avalanche Energy (EAS) — 300 mJ
Drive Voltage (Max RDS(on)) — 10 V
Configuration — Single with built-in body diode
İşletim Sıcaklığı — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
RoHS Durumu — Compliant (PBF / lead-free)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin