IRLS3034TRLPBF vs IRFZ44NSTRLPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRLS3034TRLPBF بواسطة Infineon و IRFZ44NSTRLPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRLS3034TRLPBF IRFZ44NSTRLPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 195 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 343 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) Max at VGS=10V, ID=195A 1.7 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.5 V (typical) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Qg) 108 nC 42 nC
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 375 W —
نطاق درجة حرارة التشغيل -40°C to +175°C (TJ) -55C to +175C
العلبة D2PAK (TO-263), Surface Mount D2PAK (TO-263)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Technology IR HEXFET (planar N-channel) HEXFET
Lead-Free Yes (PBF suffix) —
حالة RoHS Compliant Compliant
مستوى MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Shipping Format Tape and Reel, 7-inch (TRL) —
Polarity — N-Channel
MOSFET Operating Mode — Enhancement
Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 49 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Drain-Source On-Resistance RDS(on) max — 17.5 mOhm at VGS=10V
Power Dissipation (TC) — 94 W
Power Dissipation (TA) — 3.8 W
Lead-Free (PBF suffix) — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر