IRLS3034TRLPBF vs IRFZ44NSTRLPBF Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci IRLS3034TRLPBF disebabkan oleh Infineon dan IRFZ44NSTRLPBF disebabkan oleh Infineon. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Pengandingan Spesifikasi

Parametr IRLS3034TRLPBF IRFZ44NSTRLPBF
Merek Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 195 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 343 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) Max at VGS=10V, ID=195A 1.7 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.5 V (typical) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Qg) 108 nC 42 nC
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 375 W —
Gambaran Suhu Operasi -40°C to +175°C (TJ) -55C to +175C
Kemasan D2PAK (TO-263), Surface Mount D2PAK (TO-263)
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount
Technology IR HEXFET (planar N-channel) HEXFET
Lead-Free Yes (PBF suffix) —
Status RoHS Compliant Compliant
Aras MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Shipping Format Tape and Reel, 7-inch (TRL) —
Polarity — N-Channel
MOSFET Operating Mode — Enhancement
Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 49 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Drain-Source On-Resistance RDS(on) max — 17.5 mOhm at VGS=10V
Power Dissipation (TC) — 94 W
Power Dissipation (TA) — 3.8 W
Lead-Free (PBF suffix) — Yes

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga