IRLS3034TRLPBF vs IRFZ44NSTRLPBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRLS3034TRLPBF द्वारा Infineon और IRFZ44NSTRLPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IRLS3034TRLPBF IRLS3034TRLPBF - 40V 343A 1.7mΩ N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLS3034TRLPBF - 40V 343A 1.7mΩ N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLS3034TRLPBF ✓ सक्रिय
Infineon
IRFZ44NSTRLPBF IRFZ44NSTRLPBF - 55V 49A N-Channel HEXFET MOSFET D2PAK | Infineon

IRFZ44NSTRLPBF - 55V 49A N-Channel HEXFET MOSFET D2PAK | Infineon

IRFZ44NSTRLPBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IRLS3034TRLPBF IRFZ44NSTRLPBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 195 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 343 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) Max at VGS=10V, ID=195A 1.7 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.5 V (typical) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Qg) 108 nC 42 nC
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 375 W —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -40°C to +175°C (TJ) -55C to +175C
पैकेज D2PAK (TO-263), Surface Mount D2PAK (TO-263)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Technology IR HEXFET (planar N-channel) HEXFET
Lead-Free Yes (PBF suffix) —
RoHS स्थिति Compliant Compliant
MSL स्तर 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Shipping Format Tape and Reel, 7-inch (TRL) —
Polarity — N-Channel
MOSFET Operating Mode — Enhancement
Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 49 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Drain-Source On-Resistance RDS(on) max — 17.5 mOhm at VGS=10V
Power Dissipation (TC) — 94 W
Power Dissipation (TA) — 3.8 W
Lead-Free (PBF suffix) — Yes

डेटाशीट और संसाधन

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