IRLS3034TRLPBF vs IRFZ44NSTRLPBF তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRLS3034TRLPBF নির্দিষ্ট Infineon ও IRFZ44NSTRLPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IRLS3034TRLPBF IRLS3034TRLPBF - 40V 343A 1.7mΩ N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLS3034TRLPBF - 40V 343A 1.7mΩ N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLS3034TRLPBF ✓ সক্রিয়
Infineon
IRFZ44NSTRLPBF IRFZ44NSTRLPBF - 55V 49A N-Channel HEXFET MOSFET D2PAK | Infineon

IRFZ44NSTRLPBF - 55V 49A N-Channel HEXFET MOSFET D2PAK | Infineon

IRFZ44NSTRLPBF ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IRLS3034TRLPBF IRFZ44NSTRLPBF
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 195 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 343 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) Max at VGS=10V, ID=195A 1.7 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.5 V (typical) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Qg) 108 nC 42 nC
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 375 W —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -40°C to +175°C (TJ) -55C to +175C
প্যাকেজ D2PAK (TO-263), Surface Mount D2PAK (TO-263)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Technology IR HEXFET (planar N-channel) HEXFET
Lead-Free Yes (PBF suffix) —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
MSL লেভেল 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Shipping Format Tape and Reel, 7-inch (TRL) —
Polarity — N-Channel
MOSFET Operating Mode — Enhancement
Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 49 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Drain-Source On-Resistance RDS(on) max — 17.5 mOhm at VGS=10V
Power Dissipation (TC) — 94 W
Power Dissipation (TA) — 3.8 W
Lead-Free (PBF suffix) — Yes

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট