IRLS3034TRLPBF vs IRFZ44NSTRLPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRLS3034TRLPBF tarafından Infineon ve IRFZ44NSTRLPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRLS3034TRLPBF IRFZ44NSTRLPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 195 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 343 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) Max at VGS=10V, ID=195A 1.7 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.5 V (typical) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Qg) 108 nC 42 nC
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 375 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -40°C to +175°C (TJ) -55C to +175C
Paket D2PAK (TO-263), Surface Mount D2PAK (TO-263)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology IR HEXFET (planar N-channel) HEXFET
Lead-Free Yes (PBF suffix) —
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Shipping Format Tape and Reel, 7-inch (TRL) —
Polarity — N-Channel
MOSFET Operating Mode — Enhancement
Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 49 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Drain-Source On-Resistance RDS(on) max — 17.5 mOhm at VGS=10V
Power Dissipation (TC) — 94 W
Power Dissipation (TA) — 3.8 W
Lead-Free (PBF suffix) — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin