IRLS3034TRLPBF vs IRFZ44NSTRLPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRLS3034TRLPBF מאת Infineon ו IRFZ44NSTRLPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRLS3034TRLPBF IRFZ44NSTRLPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 195 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 343 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) Max at VGS=10V, ID=195A 1.7 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.5 V (typical) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Qg) 108 nC 42 nC
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 375 W —
טווח טמפרטורת פעולה -40°C to +175°C (TJ) -55C to +175C
מארז D2PAK (TO-263), Surface Mount D2PAK (TO-263)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Technology IR HEXFET (planar N-channel) HEXFET
Lead-Free Yes (PBF suffix) —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
רמת MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Shipping Format Tape and Reel, 7-inch (TRL) —
Polarity — N-Channel
MOSFET Operating Mode — Enhancement
Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 49 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Drain-Source On-Resistance RDS(on) max — 17.5 mOhm at VGS=10V
Power Dissipation (TC) — 94 W
Power Dissipation (TA) — 3.8 W
Lead-Free (PBF suffix) — Yes

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר