K4A4G085WD-BCRC vs K4A4G085WE-BCRC مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4A4G085WD-BCRC بواسطة Samsung Electronics و K4A4G085WE-BCRC بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4A4G085WD-BCRC | K4A4G085WE-BCRC |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Memory Density | 4 Gbit | — |
| التنظيم | 512M x 8 | 512M x 8 |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM (D-die) | DDR4 SDRAM |
| معدل البيانات | 2400 Mb/s (PC2400) | 2400 Mbps |
| جهد التغذية | 1.2 V | — |
| العلبة | FBGA-78 (TFBGA) | FBGA-78 |
| Number of Terminals | 78 | — |
| الواجهة | Parallel | Parallel |
| Access Mode | Multi-bank page burst | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| زمن الوصول CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: Refresh specification] | 8n / 1X refresh (per JEDEC DDR4) |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | Compliant (per LCSC listing) |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL Level] | [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level] |
| Density | — | 4 Gbit |
| Clock Cycle Time (tCK) | — | 0.833 ns |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Core Voltage (VPP) | — | 2.5 V |
| Process Node Family | — | Samsung E-die |
| Bank Groups | — | 4n prefetch DDR4 architecture |
| درجة حرارة التشغيل | — | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |