K4A4G085WD-BCRC vs K4A4G085WE-BCRC Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4A4G085WD-BCRC tarafından Samsung Electronics ve K4A4G085WE-BCRC tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | K4A4G085WD-BCRC | K4A4G085WE-BCRC |
|---|---|---|
| Marka | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Memory Density | 4 Gbit | — |
| Organizasyon | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Bellek Türü | DDR4 SDRAM (D-die) | DDR4 SDRAM |
| Veri Hızı | 2400 Mb/s (PC2400) | 2400 Mbps |
| Besleme Gerilimi | 1.2 V | — |
| Paket | FBGA-78 (TFBGA) | FBGA-78 |
| Number of Terminals | 78 | — |
| Arayüz | Parallel | Parallel |
| Access Mode | Multi-bank page burst | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| CAS Gecikme | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: Refresh specification] | 8n / 1X refresh (per JEDEC DDR4) |
| RoHS Durumu | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | Compliant (per LCSC listing) |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL Level] | [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level] |
| Density | — | 4 Gbit |
| Clock Cycle Time (tCK) | — | 0.833 ns |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Core Voltage (VPP) | — | 2.5 V |
| Process Node Family | — | Samsung E-die |
| Bank Groups | — | 4n prefetch DDR4 architecture |
| İşletim Sıcaklığı | — | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |