K4A4G085WD-BCRC vs K4A4G085WE-BCRC مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4A4G085WD-BCRC توسط Samsung Electronics و K4A4G085WE-BCRC توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4A4G085WD-BCRC | K4A4G085WE-BCRC |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Memory Density | 4 Gbit | — |
| سازمان | 512M x 8 | 512M x 8 |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM (D-die) | DDR4 SDRAM |
| نرخ داده | 2400 Mb/s (PC2400) | 2400 Mbps |
| ولتاژ تغذیه | 1.2 V | — |
| بسته‌بندی | FBGA-78 (TFBGA) | FBGA-78 |
| Number of Terminals | 78 | — |
| رابط | Parallel | Parallel |
| Access Mode | Multi-bank page burst | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| تأخیر CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| محدوده دمای کاری | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: Refresh specification] | 8n / 1X refresh (per JEDEC DDR4) |
| وضعیت RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | Compliant (per LCSC listing) |
| سطح MSL | [DATA_NEEDED: MSL Level] | [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level] |
| Density | — | 4 Gbit |
| Clock Cycle Time (tCK) | — | 0.833 ns |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Core Voltage (VPP) | — | 2.5 V |
| Process Node Family | — | Samsung E-die |
| Bank Groups | — | 4n prefetch DDR4 architecture |
| دمای کاری | — | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |