K4A4G085WD-BCRC vs K4A4G085WE-BCRC השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4A4G085WD-BCRC מאת Samsung Electronics ו K4A4G085WE-BCRC מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | K4A4G085WD-BCRC | K4A4G085WE-BCRC |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Memory Density | 4 Gbit | — |
| ארגון | 512M x 8 | 512M x 8 |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM (D-die) | DDR4 SDRAM |
| קצב נתונים | 2400 Mb/s (PC2400) | 2400 Mbps |
| מתח אספקה | 1.2 V | — |
| מארז | FBGA-78 (TFBGA) | FBGA-78 |
| Number of Terminals | 78 | — |
| ממשק | Parallel | Parallel |
| Access Mode | Multi-bank page burst | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| השהיית CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: Refresh specification] | 8n / 1X refresh (per JEDEC DDR4) |
| סטטוס RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | Compliant (per LCSC listing) |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: MSL Level] | [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level] |
| Density | — | 4 Gbit |
| Clock Cycle Time (tCK) | — | 0.833 ns |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Core Voltage (VPP) | — | 2.5 V |
| Process Node Family | — | Samsung E-die |
| Bank Groups | — | 4n prefetch DDR4 architecture |
| טמפרטורת פעולה | — | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |