K4A4G085WD-BCRC vs K4A4G085WE-BCRC موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A4G085WD-BCRC بذریعہ Samsung Electronics اور K4A4G085WE-BCRC بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4A4G085WD-BCRC | K4A4G085WE-BCRC |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Memory Density | 4 Gbit | — |
| تنظیم | 512M x 8 | 512M x 8 |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM (D-die) | DDR4 SDRAM |
| ڈیٹا ریٹ | 2400 Mb/s (PC2400) | 2400 Mbps |
| سپلائی وولٹیج | 1.2 V | — |
| پیکیج | FBGA-78 (TFBGA) | FBGA-78 |
| Number of Terminals | 78 | — |
| انٹرفیس | Parallel | Parallel |
| Access Mode | Multi-bank page burst | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| CAS لیٹنسی | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: Refresh specification] | 8n / 1X refresh (per JEDEC DDR4) |
| RoHS اسٹیٹس | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | Compliant (per LCSC listing) |
| MSL لیول | [DATA_NEEDED: MSL Level] | [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level] |
| Density | — | 4 Gbit |
| Clock Cycle Time (tCK) | — | 0.833 ns |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Core Voltage (VPP) | — | 2.5 V |
| Process Node Family | — | Samsung E-die |
| Bank Groups | — | 4n prefetch DDR4 architecture |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | — | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |