K4A4G085WD-BCRC vs K4A4G085WE-BCRC तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4A4G085WD-BCRC द्वारा Samsung Electronics और K4A4G085WE-BCRC द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4A4G085WD-BCRC | K4A4G085WE-BCRC |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Memory Density | 4 Gbit | — |
| संगठन | 512M x 8 | 512M x 8 |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM (D-die) | DDR4 SDRAM |
| डेटा दर | 2400 Mb/s (PC2400) | 2400 Mbps |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.2 V | — |
| पैकेज | FBGA-78 (TFBGA) | FBGA-78 |
| Number of Terminals | 78 | — |
| इंटरफ़ेस | Parallel | Parallel |
| Access Mode | Multi-bank page burst | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| CAS लेटेंसी | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: Refresh specification] | 8n / 1X refresh (per JEDEC DDR4) |
| RoHS स्थिति | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | Compliant (per LCSC listing) |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL Level] | [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level] |
| Density | — | 4 Gbit |
| Clock Cycle Time (tCK) | — | 0.833 ns |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Core Voltage (VPP) | — | 2.5 V |
| Process Node Family | — | Samsung E-die |
| Bank Groups | — | 4n prefetch DDR4 architecture |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |