K4A8G085WB-BICH vs K4A8G045WB مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4A8G085WB-BICH بواسطة Samsung Electronics و K4A8G045WB بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4A8G085WB-BICH | K4A8G045WB |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (B-die) |
| Density | 8Gb | 8 Gb |
| التنظيم | 1G x 8 | 2G x 4 |
| جهد التغذية | 1.2V | 1.2 V |
| معدل البيانات | 2400 Mbps (DDR4-2400) | 2133 Mbps |
| العلبة | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA |
| درجة حرارة التشغيل | 0°C to 85°C | 0 C to +85 C |
| Max Supply Current | 170mA | 211.7 mA |
| Burst Length | BL8, BL16 | — |
| زمن الوصول CAS | Programmable | — |
| On-Die ECC | Yes | — |
| Data Bus Inversion | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Die Revision | B-die | — |
| Refresh Cycles | — | 8192 |
| نوع التركيب | — | Surface Mount |
| Number of Terminals | — | 78 |
| Clocking | — | Differential clock (CK / CK#) |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT pin) |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Posted CAS | — | Yes |
| Programmable CWL | — | Yes |
| Internal (Self) Calibration | — | Yes |
| حالة RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |