K4A8G085WB-BICH vs K4A8G045WB So sánh

So sánh chi tiết song song của K4A8G085WB-BICH bằng Samsung Electronics và K4A8G045WB bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Samsung Electronics
K4A8G085WB-BICH K4A8G085WB-BICH - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung

K4A8G085WB-BICH - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung

K4A8G085WB-BICH ✓ Hoạt động
Samsung Electronics
K4A8G045WB K4A8G045WB - 8Gb DDR4 SDRAM 2Gx4 2133Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G045WB - 8Gb DDR4 SDRAM 2Gx4 2133Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G045WB ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số K4A8G085WB-BICH K4A8G045WB
Thương hiệu Samsung Electronics Samsung Electronics
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (B-die)
Density 8Gb 8 Gb
Tổ chức 1G x 8 2G x 4
Điện áp cung cấp 1.2V 1.2 V
Tốc độ dữ liệu 2400 Mbps (DDR4-2400) 2133 Mbps
Hộp 78-ball FBGA 78-ball FBGA
Nhiệt độ hoạt động 0°C to 85°C 0 C to +85 C
Max Supply Current 170mA 211.7 mA
Burst Length BL8, BL16 —
Latency CAS Programmable —
On-Die ECC Yes —
Data Bus Inversion Yes —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Die Revision B-die —
Refresh Cycles — 8192
Kiểu lắp đặt — Surface Mount
Number of Terminals — 78
Clocking — Differential clock (CK / CK#)
On-Die Termination — Yes (ODT pin)
Asynchronous Reset — Yes
Posted CAS — Yes
Programmable CWL — Yes
Internal (Self) Calibration — Yes
Trạng thái RoHS — [DATA_NEEDED: RoHS status]

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá