K4A8G085WB-BICH vs K4A8G045WB तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4A8G085WB-BICH द्वारा Samsung Electronics और K4A8G045WB द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4A8G085WB-BICH | K4A8G045WB |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (B-die) |
| Density | 8Gb | 8 Gb |
| संगठन | 1G x 8 | 2G x 4 |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.2V | 1.2 V |
| डेटा दर | 2400 Mbps (DDR4-2400) | 2133 Mbps |
| पैकेज | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0°C to 85°C | 0 C to +85 C |
| Max Supply Current | 170mA | 211.7 mA |
| Burst Length | BL8, BL16 | — |
| CAS लेटेंसी | Programmable | — |
| On-Die ECC | Yes | — |
| Data Bus Inversion | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Die Revision | B-die | — |
| Refresh Cycles | — | 8192 |
| माउंटिंग प्रकार | — | Surface Mount |
| Number of Terminals | — | 78 |
| Clocking | — | Differential clock (CK / CK#) |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT pin) |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Posted CAS | — | Yes |
| Programmable CWL | — | Yes |
| Internal (Self) Calibration | — | Yes |
| RoHS स्थिति | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |