K4A8G085WB-BICH vs K4A8G045WB Pengandingan
Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci K4A8G085WB-BICH disebabkan oleh Samsung Electronics dan K4A8G045WB disebabkan oleh Samsung Electronics. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.
Pengandingan Spesifikasi
| Parametr | K4A8G085WB-BICH | K4A8G045WB |
|---|---|---|
| Merek | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Status Lingkungan Hidup | Aktif | Aktif |
| Jenis Ingatan | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (B-die) |
| Density | 8Gb | 8 Gb |
| Organisasi | 1G x 8 | 2G x 4 |
| Tegangan Pemberi Arus | 1.2V | 1.2 V |
| Kadar Data | 2400 Mbps (DDR4-2400) | 2133 Mbps |
| Kemasan | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA |
| Suhu Operasi | 0°C to 85°C | 0 C to +85 C |
| Max Supply Current | 170mA | 211.7 mA |
| Burst Length | BL8, BL16 | — |
| Latensi CAS | Programmable | — |
| On-Die ECC | Yes | — |
| Data Bus Inversion | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Die Revision | B-die | — |
| Refresh Cycles | — | 8192 |
| Jenis Pemasangan | — | Surface Mount |
| Number of Terminals | — | 78 |
| Clocking | — | Differential clock (CK / CK#) |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT pin) |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Posted CAS | — | Yes |
| Programmable CWL | — | Yes |
| Internal (Self) Calibration | — | Yes |
| Status RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |