K4A8G085WC-BCRC vs H5AN8G8NCJR-RDC مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4A8G085WC-BCRC بواسطة Samsung Electronics و H5AN8G8NCJR-RDC بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4A8G085WC-BCRC | H5AN8G8NCJR-RDC |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | SK hynix |
| الفئة | DRAM | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | 8 Gb (1 GB) |
| التنظيم | 1G x 8 | x8 |
| جهد التغذية | 1.2 V | 1.2 V (VDD) |
| معدل البيانات | 2400 Mbps (DDR4-2400) | up to 2666 Mbps |
| العلبة | 78-ball FBGA (TFBGA) | 78-ball FBGA |
| Terminal Pitch | 0.8 mm | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | 0C to +95C | [DATA_NEEDED: operating temperature range for -RDC suffix] |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic On-Die Termination | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Refresh | Auto/Self refresh | — |
| الواجهة | — | DDR4 (JEDEC standard) |
| Bank Architecture | — | 4 bank groups x 4 banks |
| Burst Length | — | BL8 |
| زمن الوصول CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency for -RDC speed grade] |
| Generation | — | C-die family (NCJR) |
| Lead Free | — | Yes |
| خالٍ من الهالوجين | — | Yes |